Onsemi FDG6322C N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 25 V / 220 MA, 410 MA 300 MW, 6-Pin SOT-363
About The : 1,9 Ω, 7 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.onsemi FDG6322C N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 25 V / 220 mA, 410 mA 300 mW, 6-Pin SOT-363, Channel-Typ: N, P, Gehäusegröße: SOT-363 (SC-70), Drain-Source-Widerstand max
onsemi FDG6322C N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 25 V / 220 mA, 410 mA 300 mW, 6-Pin SOT-363, Channel-Typ: N, P, Gehäusegröße: SOT-363 (SC-70), Drain-Source-Widerstand max.: 1,9 Ω, 7 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.65V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Höhe: 1mm, Länge: 2mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi FDG6322C N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 25 V / 220 MA, 410 MA 300 MW, 6-Pin SOT-363
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Specifications of Onsemi FDG6322C N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 25 V / 220 MA, 410 MA 300 MW, 6-Pin SOT-363 | |
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