Toshiba SSM3K333R N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 6 A 2 W, 3-Pin SOT-23
About The 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.5V, Gate-Schwellenspannung min
Toshiba SSM3K333R N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 6 A 2 W, 3-Pin SOT-23, Gehäusegröße: SOT-23F, Drain-Source-Widerstand max.: 42 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Höhe: 0.8mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Toshiba SSM3K333R N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 6 A 2 W, 3-Pin SOT-23
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Specifications of Toshiba SSM3K333R N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 6 A 2 W, 3-Pin SOT-23 | |
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