Infineon IGBT-Modul / 100 A ±20V Max., 1200 V 355 W, 35-Pin Econo3 N-Kanal
About The , 1200 V 355 W, 35-Pin Econo3 N-Kanal, Konfiguration: Dreiphasenbrücke, Montage-Typ: PCB-Montage, Schaltgeschwindigkeit: 1MHz, Transistor-Konfiguration: 3-phasig, Abmessungen: 122 x 62 x 17mm, Betriebstemperatur max.: +125 °C, Betriebstemperatur min
Infineon IGBT-Modul / 100 A ±20V max., 1200 V 355 W, 35-Pin Econo3 N-Kanal, Konfiguration: Dreiphasenbrücke, Montage-Typ: PCB-Montage, Schaltgeschwindigkeit: 1MHz, Transistor-Konfiguration: 3-phasig, Abmessungen: 122 x 62 x 17mm, Betriebstemperatur max.: +125 °C, Betriebstemperatur min.: –40 °C, MPN: FS75R12KE3G
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > IGBT
Infineon IGBT-Modul / 100 A ±20V Max., 1200 V 355 W, 35-Pin Econo3 N-Kanal
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Specifications of Infineon IGBT-Modul / 100 A ±20V Max., 1200 V 355 W, 35-Pin Econo3 N-Kanal | |
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