Vishay IRFB13N50APBF N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 14 A 250000 MW, 3-Pin TO-220AB
About The : +150 °C.Vishay IRFB13N50APBF N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 14 A 250000 mW, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max
Vishay IRFB13N50APBF N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 14 A 250000 mW, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 450 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10.41mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay IRFB13N50APBF N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 14 A 250000 MW, 3-Pin TO-220AB
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Specifications of Vishay IRFB13N50APBF N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 14 A 250000 MW, 3-Pin TO-220AB | |
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