Nexperia PMV32UP,215 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4 A 415 MW, 3-Pin SOT-23
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Nexperia PMV32UP,215 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4 A 415 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 36 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 0.95V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.45V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Länge: 3mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Nexperia PMV32UP,215 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4 A 415 MW, 3-Pin SOT-23
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Specifications of Nexperia PMV32UP,215 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4 A 415 MW, 3-Pin SOT-23 | |
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