Onsemi QFET FQPF85N06 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 53 A 62 W, 3-Pin TO-220F
About The : 10 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.16mm, Betriebstemperatur max
onsemi QFET FQPF85N06 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 53 A 62 W, 3-Pin TO-220F, Drain-Source-Widerstand max.: 10 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V, Länge: 10.16mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi QFET FQPF85N06 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 53 A 62 W, 3-Pin TO-220F
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Specifications of Onsemi QFET FQPF85N06 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 53 A 62 W, 3-Pin TO-220F | |
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