Onsemi FJA13009TU THT, NPN Transistor 400 V / 12 A, TO-3P 3-Pin
About The .: +150 °C, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max
onsemi FJA13009TU THT, NPN Transistor 400 V / 12 A, TO-3P 3-Pin, Verlustleistung max.: 130 W, Transistor-Konfiguration: Einfach, Kollektor-Basis-Spannung max.: 700 V, Basis-Emitter Spannung max.: 9 V, Abmessungen: 15.8 x 5 x 20.1mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.: 3 V
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Bipolare Transistoren
Onsemi FJA13009TU THT, NPN Transistor 400 V / 12 A, TO-3P 3-Pin
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Specifications of Onsemi FJA13009TU THT, NPN Transistor 400 V / 12 A, TO-3P 3-Pin | |
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