Vishay SQ Rugged SQ3419EV-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 7,4 A 5 W, 6-Pin TSOP-6, Drain-Source-Widerstand max.: 78 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -12 V, +12 V, Länge: 3.1mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
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Vishay SQ Rugged SQ3419EV-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 7,4 A 5 W, 6-Pin TSOP-6
Specifications of Vishay SQ Rugged SQ3419EV-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 7,4 A 5 W, 6-Pin TSOP-6 | |
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