Taiwan Semiconductor TSM60NB600CI C0G N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 8 A 32 W, 3-Pin ITO-220S
About The : 4V, Gate-Schwellenspannung min.4V
Taiwan Semiconductor TSM60NB600CI C0G N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 8 A 32 W, 3-Pin ITO-220S, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 600 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±30 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Diodendurchschlagsspannung: 1.4V
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Taiwan Semiconductor TSM60NB600CI C0G N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 8 A 32 W, 3-Pin ITO-220S
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Specifications of Taiwan Semiconductor TSM60NB600CI C0G N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 8 A 32 W, 3-Pin ITO-220S | |
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