IXYS HiperFET, Q3-Class IXFT18N100Q3 N-Kanal, SMD MOSFET 1000 V / 18 A 830 W, 3-Pin TO-268, Drain-Source-Widerstand max.: 660 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 6.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Höhe: 5.1mm, Länge: 16.05mm
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IXYS HiperFET, Q3-Class IXFT18N100Q3 N-Kanal, SMD MOSFET 1000 V / 18 A 830 W, 3-Pin TO-268
Specifications of IXYS HiperFET, Q3-Class IXFT18N100Q3 N-Kanal, SMD MOSFET 1000 V / 18 A 830 W, 3-Pin TO-268 | |
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