Infineon IPD068N10N3 G IPD068N10N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 90 A 150 W, 3-Pin TO-252, Drain-Source-Widerstand max.: 12,3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 20 V, Länge: 6.73mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
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Infineon IPD068N10N3 G IPD068N10N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 90 A 150 W, 3-Pin TO-252
Specifications of Infineon IPD068N10N3 G IPD068N10N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 90 A 150 W, 3-Pin TO-252 | |
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