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Onsemi NCP81080 NCP81080DR2G N-Kanal Dual, SMD MOSFET, 8-Pin SOIC

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onsemi NCP81080 NCP81080DR2G N-Kanal Dual, SMD MOSFET, 8-Pin SOIC, Gate-Schwellenspannung max.: 5.4V, Gate-Schwellenspannung min.: 3.4V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +170 °C, Breite: 4mm, Höhe: 1.5mm, Betriebstemperatur min.: –40 °C

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Onsemi NCP81080 NCP81080DR2G N-Kanal Dual, SMD MOSFET, 8-Pin SOIC

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Specifications of Onsemi NCP81080 NCP81080DR2G N-Kanal Dual, SMD MOSFET, 8-Pin SOIC

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Onsemi NCP81080 NCP81080DR2G N-Kanal Dual, SMD MOSFET, 8-Pin SOIC
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RS PRO HSS Gewindebohrersatz, 7-teilig M12

RS PRO HSS Gewindebohrersatz, 7-teilig M12

RS PRO HSS Gewindebohrersatz, 7-teilig M12, Typ: Spiralkopf.

  • Mechanik & Fluidtechnik und Werkzeuge
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    • Vishay 021 ASM, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 2200μF ±20% / 63V dc, Ø 21mm x 38mm, +85°C

    Vishay 021 ASM, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 2200μF ±20% / 63V dc, Ø 21mm x 38mm, +85°C

    ) x 38mm, Betriebstemperatur min.: -40°C, Lebensdauer: 8000h, Äquivalenter Serienwiderstand: 99mΩ, Leckstrom: 281 μA, Brummstrom: 1.78A, MPN: MAL202118222E3.Vishay 021 ASM, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 2200μF ±20% / 63V dc, Ø 21mm x 38mm, +85°C, Kapazität: 2200µF, Spannung: 63V dc, Montageart: Axial, Durchsteckmontage, Abmessungen: 21 (Dia.

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    • RS PRO Dichtung, Typ Wellendichtring, Innen ø 21mm, Aussen ø 40mm, 5mm

    RS PRO Dichtung, Typ Wellendichtring, Innen ø 21mm, Aussen ø 40mm, 5mm

    RS PRO Dichtung, Typ Wellendichtring, Innen ø 21mm, Aussen ø 40mm, 5mm, Dichtungsmaterial: Nitrilgummi.

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    • onsemi SBC846BPDW1T1G SMD, NPN/PNP Digitaler Transistor Dual 65 V / 100 mA, SOT-363 6-Pin

    onsemi SBC846BPDW1T1G SMD, NPN/PNP Digitaler Transistor Dual 65 V / 100 mA, SOT-363 6-Pin

    9mm, Betriebstemperatur max.onsemi SBC846BPDW1T1G SMD, NPN/PNP Digitaler Transistor Dual 65 V / 100 mA, SOT-363 6-Pin, Verlustleistung max.: 6 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 2, Abmessungen: 2.

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    • onsemi SBC846BPDW1T1G SMD, NPN/PNP Digitaler Transistor Dual 65 V / 100 mA, SOT-363 6-Pin

    onsemi SBC846BPDW1T1G SMD, NPN/PNP Digitaler Transistor Dual 65 V / 100 mA, SOT-363 6-Pin

    : 6 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 2, Abmessungen: 2.9mm, Betriebstemperatur max.onsemi SBC846BPDW1T1G SMD, NPN/PNP Digitaler Transistor Dual 65 V / 100 mA, SOT-363 6-Pin, Verlustleistung max.

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