Infineon OptiMOS 3 BSZ520N15NS3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 21 A 57 W, 8-Pin TSDSON, Drain-Source-Widerstand max.: 52 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.1mm
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Infineon OptiMOS 3 BSZ520N15NS3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 21 A 57 W, 8-Pin TSDSON
Specifications of Infineon OptiMOS 3 BSZ520N15NS3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 21 A 57 W, 8-Pin TSDSON | |
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