STMicroelectronics N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 91 A, 4-Pin HiP247-4
About The : 0,03 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4
STMicroelectronics N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 91 A, 4-Pin HiP247-4, Drain-Source-Widerstand max.: 0,03 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.9V, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: SCTWA70N120G2V-4
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
STMicroelectronics N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 91 A, 4-Pin HiP247-4
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Specifications of STMicroelectronics N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 91 A, 4-Pin HiP247-4 | |
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