Nexperia BSH103,215 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 850 mA 500 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 400 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Länge: 3mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Nexperia BSH103,215 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 850 MA 500 MW, 3-Pin SOT-23
Specifications of Nexperia BSH103,215 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 850 MA 500 MW, 3-Pin SOT-23 | |
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