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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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TE Connectivity Ringkabelschuh, Unisoliert, Aussen ø 11.94mm, Innen ø 6.73mm, Max. 5.26mm²

About The 26mm², Minimale Drahtgröße (mm2): 3.73mm, max

TE Connectivity Ringkabelschuh, Unisoliert, aussen ø 11.94mm, innen ø 6.73mm, max. 5.26mm², Minimale Drahtgröße (mm2): 3.3mm², Maximale Drahtgröße (AWG): 10AWG, Minimale Drahtgröße (AWG): 12AWG, Kontaktmaterial: Kupfer, Kontaktbeschichtung: Zinn, Dicke: 0.762mm, Gesamtlänge: 26.67mm, MPN: 62691-2

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Specifications of TE Connectivity Ringkabelschuh, Unisoliert, Aussen ø 11.94mm, Innen ø 6.73mm, Max. 5.26mm²

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Microchip Mikrocontroller PIC16LF PIC 8bit SMD 14 kB SOIC 28-Pin 32MHz 1024 kB RAM

Microchip Mikrocontroller PIC16LF PIC 8bit SMD 14 kB SOIC 28-Pin 32MHz 1024 kB RAM

Microchip Mikrocontroller PIC16LF PIC 8bit SMD 14 kB SOIC 28-Pin 32MHz 1024 kB RAM, Anzahl der PWM-Einheiten: 1 x 10 bit, MPN: PIC16LF18455-I/SO.

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    • WIKA Druckmessgerät Prozessanschluss unten Analog -1bar → 1.5bar, Ø 100mm G1/2

    WIKA Druckmessgerät Prozessanschluss unten Analog -1bar → 1.5bar, Ø 100mm G1/2

    5bar, Ø 100mm G1/2, Serie: 23X.50, MPN: 7073597.WIKA Druckmessgerät Prozessanschluss unten Analog -1bar → 1.

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    • Molex Micro-Fit 3.0 Platinenstecker-Kabel 214751 Micro-Fit 3.0 / offenes Ende Buchse Raster 3mm, 300mm

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    0 Platinenstecker-Kabel 214751 Micro-Fit 3.0 / offenes Ende Buchse Raster 3mm, 300mm, Kontaktanzahl Steckverbinder 1: 8, Mantelfarbe: Schwarz, Nennstrom: 8,5 A, Kontaktbeschichtung: Zinn, Anschluss B: Nicht abgeschlossen, MPN: 214751-1082.

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    onsemi NVTFS6H850N NVTFS6H850NTAG N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 68 A 107 W, 8-Pin WDFN

    : 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.onsemi NVTFS6H850N NVTFS6H850NTAG N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 68 A 107 W, 8-Pin WDFN, Drain-Source-Widerstand max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.

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    : 9,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.onsemi NVTFS6H850N NVTFS6H850NTAG N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 68 A 107 W, 8-Pin WDFN, Drain-Source-Widerstand max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.

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