Toshiba TK TK31E60W,S1VX(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 31 A 230 W, 3-Pin TO-220
About The : -30 V, +30 V, Länge: 10.: 3
Toshiba TK TK31E60W,S1VX(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 31 A 230 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 88 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.7V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10.16mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Toshiba TK TK31E60W,S1VX(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 31 A 230 W, 3-Pin TO-220
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Specifications of Toshiba TK TK31E60W,S1VX(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 31 A 230 W, 3-Pin TO-220 | |
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