Toshiba TK TK14N65W,S1F(S N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 13,7 A 130 W, 3-Pin TO-247
About The Toshiba TK TK14N65W,S1F(S N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 13,7 A 130 W, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 250 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
Toshiba TK TK14N65W,S1F(S N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 13,7 A 130 W, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 250 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 15.94mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Toshiba TK TK14N65W,S1F(S N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 13,7 A 130 W, 3-Pin TO-247
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Specifications of Toshiba TK TK14N65W,S1F(S N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 13,7 A 130 W, 3-Pin TO-247 | |
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