Infineon IRF7606TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,6 A, 8-Pin SOIC

Name: Infineon IRF7606TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,6 A, 8-Pin SOIC & Infineon
Brand: Infineon
SKU: CAWX-506641
Price: 1219.20 EUR
Availability: InStock

About The Infineon IRF7606TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,6 A, 8-Pin SOIC, Channel-Modus: Enhancement, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Silicon

Infineon IRF7606TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,6 A, 8-Pin SOIC, Channel-Modus: Enhancement, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Silicon

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

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Specifications of Infineon IRF7606TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,6 A, 8-Pin SOIC
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Last Updated December 12th, 2023 02:36 am

Infineon IRF7606TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,6 A, 8-Pin SOIC

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Rating :- 9.68 /10

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Nexperia Buffer & Line-Driver Puffer, Leitungstreiber 74HCT 8-Bit 3-State Non-Inverting 20-Pin SOIC, Interface: Puffer- und Leitungstreiber-IC, Eingangs-Typ: TTL, Ausgangs-Typ: 3 Zustände, Montage-Typ: SMD, Ausgangsstrom H-Pegel max.: -6mA, Signalverzögerungszeit @ max.

: 6 V, MPN: 74HCT244D,653 Nexperia Buffer & Line-Driver Puffer, Leitungstreiber 74HCT 8-Bit 3-State Non-Inverting 20-Pin SOIC.

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Nexperia SMD Schottky Diode, 30V / 200mA, 3-Pin SOT-23

Nexperia SMD Schottky Diode, 30V / 200mA, 3-Pin SOT-23, Gleichrichter-Typ: Schottky-Diode, Maximaler Spannungsabfall: 800mV, Spitzen-Sperrspannung Erholzeit: 5ns, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 600mA, MPN: BAT54S,235.

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