onsemi UniFET FDPF18N50T N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 18 A 38,5 W, 3-Pin TO-220F, Drain-Source-Widerstand max.: 265 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10.36mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Onsemi UniFET FDPF18N50T N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 18 A 38,5 W, 3-Pin TO-220F
Specifications of Onsemi UniFET FDPF18N50T N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 18 A 38,5 W, 3-Pin TO-220F | |
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