Onsemi 2SA2013-TD-E SMD, PNP Transistor –50 V / -4 A 360 MHz, PCP 3-Pin
About The : +150 °C.: 3,5 W, Gleichstromverstärkung min
onsemi 2SA2013-TD-E SMD, PNP Transistor –50 V / -4 A 360 MHz, PCP 3-Pin, Verlustleistung max.: 3,5 W, Gleichstromverstärkung min.: 200, Transistor-Konfiguration: Einfach, Kollektor-Basis-Spannung max.: -50 V, Basis-Emitter Spannung max.: -6 V, Abmessungen: 4.5 x 2.5 x 1.5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Bipolare Transistoren
Onsemi 2SA2013-TD-E SMD, PNP Transistor –50 V / -4 A 360 MHz, PCP 3-Pin
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Specifications of Onsemi 2SA2013-TD-E SMD, PNP Transistor –50 V / -4 A 360 MHz, PCP 3-Pin | |
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