Onsemi UniFET FDA28N50 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 28 A 310 W, 3-Pin TO-3PN
About The : +150 °C, MPN: FDA28N50F.: 175 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min
onsemi UniFET FDA28N50 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 28 A 310 W, 3-Pin TO-3PN, Drain-Source-Widerstand max.: 175 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 15.8mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: FDA28N50F
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi UniFET FDA28N50 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 28 A 310 W, 3-Pin TO-3PN
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Specifications of Onsemi UniFET FDA28N50 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 28 A 310 W, 3-Pin TO-3PN | |
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