Nexperia NX3008PBKW,115 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 200 MA 830 MW, 3-Pin SOT-323
About The : 6,5 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: –8 V, +8 V, Höhe: 1mm
Nexperia NX3008PBKW,115 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 200 mA 830 mW, 3-Pin SOT-323, Gehäusegröße: SOT-323 (SC-70), Drain-Source-Widerstand max.: 6,5 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.1V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.6V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Höhe: 1mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Nexperia NX3008PBKW,115 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 200 MA 830 MW, 3-Pin SOT-323
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Specifications of Nexperia NX3008PBKW,115 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 200 MA 830 MW, 3-Pin SOT-323 | |
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