Onsemi MOSFET-Gate-Ansteuerung 6,8 A, 7,8 A 30V 16-Pin SO 7.9ns
About The 9ns, Anstiegszeit: 9.onsemi MOSFET-Gate-Ansteuerung 6,8 A, 7,8 A 30V 16-Pin SO 7
onsemi MOSFET-Gate-Ansteuerung 6,8 A, 7,8 A 30V 16-Pin SO 7.9ns, Anstiegszeit: 9.2ns, Topologie: Low / High Side, Ein-/Ausgangsabhängigkeit: Independent, Zeitverzögerung: 75ns, Brücken-Typ: Halbbrücke, Polarität: Non-Inverting, Montage-Typ: SMD, Automobilstandard: AEC-Q100, MPN: NCV5700DR2G
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Stromversorgung > Gate-Treiber
Onsemi MOSFET-Gate-Ansteuerung 6,8 A, 7,8 A 30V 16-Pin SO 7.9ns
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Specifications of Onsemi MOSFET-Gate-Ansteuerung 6,8 A, 7,8 A 30V 16-Pin SO 7.9ns | |
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