Infineon HEXFET IRF8707TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 11 A 2,5 W, 8-Pin SOIC
About The : 1.: 17,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
Infineon HEXFET IRF8707TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 11 A 2,5 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 17,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.35V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.35V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1V
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET IRF8707TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 11 A 2,5 W, 8-Pin SOIC
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Specifications of Infineon HEXFET IRF8707TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 11 A 2,5 W, 8-Pin SOIC | |
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