Infineon HEXFET IRL6342TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 9,9 A 2,5 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 19 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.1V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -12 V, +12 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET IRL6342TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 9,9 A 2,5 W, 8-Pin SOIC
Specifications of Infineon HEXFET IRL6342TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 9,9 A 2,5 W, 8-Pin SOIC | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |