STMicroelectronics IGBT / 120 A ±20V max., 650 V 469 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal, Montage-Typ: THT, Schaltgeschwindigkeit: 1MHz, Transistor-Konfiguration: Einfach, Abmessungen: 15.8 x 5 x 20.1mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, Betriebstemperatur min.: –55 °C, MPN: STGWT80H65DFB
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STMicroelectronics IGBT / 120 A ±20V Max., 650 V 469 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal
Specifications of STMicroelectronics IGBT / 120 A ±20V Max., 650 V 469 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal | |
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