STMicroelectronics DeepGate, STripFET STD80N4F6 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 80 A 70 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
About The : 6 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min
STMicroelectronics DeepGate, STripFET STD80N4F6 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 80 A 70 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 6 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Höhe: 2.4mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
STMicroelectronics DeepGate, STripFET STD80N4F6 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 80 A 70 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
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Specifications of STMicroelectronics DeepGate, STripFET STD80N4F6 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 80 A 70 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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