Infineon HEXFET IRF7842TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 18 A 2,5 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 5,9 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.25V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.35V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Infineon HEXFET IRF7842TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 18 A 2,5 W, 8-Pin SOIC
Specifications of Infineon HEXFET IRF7842TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 18 A 2,5 W, 8-Pin SOIC | |
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