EPCOS SIMID SMD Induktivität, 10 μH 320mA AEC-Q200 Mit Ferrit-Kern, 1812 (4532M) Gehäuse 4.5mm / ±10%, 8MHz
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EPCOS SIMID SMD Induktivität, 10 μH 320mA AEC-Q200 mit Ferrit-Kern, 1812 (4532M) Gehäuse 4.5mm / ±10%, 8MHz, Tiefe: 3.2mm, Abmessungen: 4.5 x 3.2 x 3.2mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand max.: 980mΩ, Resonanzfrequenz max.: 28MHz, Induktivitätsbauweise: Ferritkern, MPN: B82432C1103K000
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Passive Bauelemente > Induktivitäten > SMD-Induktivität
EPCOS SIMID SMD Induktivität, 10 μH 320mA AEC-Q200 Mit Ferrit-Kern, 1812 (4532M) Gehäuse 4.5mm / ±10%, 8MHz
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Specifications of EPCOS SIMID SMD Induktivität, 10 μH 320mA AEC-Q200 Mit Ferrit-Kern, 1812 (4532M) Gehäuse 4.5mm / ±10%, 8MHz | |
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