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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Stromversorgung
Spannungsregler
Texas Instruments

Texas Instruments Spannungsregler, Synchroner Abwärtsregler 3A, 1 Abwärtswandler SOT-23-THIN, 6 Pin-Pin, 580 KHz

About The Texas Instruments Spannungsregler, Synchroner Abwärtsregler 3A, 1 Abwärtswandler SOT-23-THIN, 6 Pin-Pin, 580 kHz, Ausgangsspannung: 17 V, Genauigkeit: 2%, MPN: TPS563201DDCT

Texas Instruments Spannungsregler, Synchroner Abwärtsregler 3A, 1 Abwärtswandler SOT-23-THIN, 6 Pin-Pin, 580 kHz, Ausgangsspannung: 17 V, Genauigkeit: 2%, MPN: TPS563201DDCT

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Texas Instruments Spannungsregler, Synchroner Abwärtsregler 3A, 1 Abwärtswandler SOT-23-THIN, 6 Pin-Pin, 580 KHz

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Specifications of Texas Instruments Spannungsregler, Synchroner Abwärtsregler 3A, 1 Abwärtswandler SOT-23-THIN, 6 Pin-Pin, 580 KHz

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Stromversorgung

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onsemi Power Switch IC 5,5 V max.

onsemi Power Switch IC 5,5 V max.

5mm, Betriebstemperatur max.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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  • Netzschalter-ICs
  • onsemi
    • KEMET Reedkontakt, SPST 100mA 1W 30V dc Fe-Ni-Legierung 300mΩ THT

    KEMET Reedkontakt, SPST 100mA 1W 30V dc Fe-Ni-Legierung 300mΩ THT

    : 30V dc, Breite: 5mm, Länge: 6.1mm, Abmessungen: 6.KEMET Reedkontakt, SPST 100mA 1W 30V dc Fe-Ni-Legierung 300mΩ THT, Schaltspannung max.

  • Elektromechanik & Automation und Kabel
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  • Kapazitiv & Magnet- und Piezoschalter
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  • KEMET
    • Block Printtrafo, Trafo 230V ac / 8V ac 0.5VA 2 Ausg.
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  • Block
    • Infineon HEXFET IRF7105TRPBF N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 25 V / 2,3 A; 3,5 A 2 W, 8-Pin SOIC

    Infineon HEXFET IRF7105TRPBF N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 25 V / 2,3 A; 3,5 A 2 W, 8-Pin SOIC

    : 1V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.

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  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • Infineon
    • Infineon HEXFET IRF7105TRPBF N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 25 V / 2,3 A; 3,5 A 2 W, 8-Pin SOIC

    Infineon HEXFET IRF7105TRPBF N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 25 V / 2,3 A; 3,5 A 2 W, 8-Pin SOIC

    : +150 °C.: 160 mΩ, 400 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

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