Infineon OptiMOS BSC009NE2LSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 100 A 96 W, 8-Pin TSDSON
About The : -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1V, Höhe: 1.1mm, Länge: 6
Infineon OptiMOS BSC009NE2LSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 100 A 96 W, 8-Pin TSDSON, Drain-Source-Widerstand max.: 900 μΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1V, Höhe: 1.1mm, Länge: 6.1mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon OptiMOS BSC009NE2LSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 100 A 96 W, 8-Pin TSDSON
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Specifications of Infineon OptiMOS BSC009NE2LSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 100 A 96 W, 8-Pin TSDSON | |
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