Vishay N-Channel 60 V SQJQ160E-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 602 A, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 l, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0018 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V
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Vishay N-Channel 60 V SQJQ160E-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 602 A, 4-Pin PowerPAK 8 X 8 L
Specifications of Vishay N-Channel 60 V SQJQ160E-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 602 A, 4-Pin PowerPAK 8 X 8 L | |
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