Vishay SIHB080N60E-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 600 V / 35 A, 3-Pin TO-263, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Werkstoff: Silicon
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Vishay SIHB080N60E-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 600 V / 35 A, 3-Pin TO-263
Specifications of Vishay SIHB080N60E-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 600 V / 35 A, 3-Pin TO-263 | |
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