Infineon SIPMOS BSP135H6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 120 mA 1,8 W, 3-Pin SOT-223, Drain-Source-Widerstand max.: 60 Ω, Channel-Modus: Depletion, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Infineon SIPMOS BSP135H6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 120 MA 1,8 W, 3-Pin SOT-223
Specifications of Infineon SIPMOS BSP135H6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 120 MA 1,8 W, 3-Pin SOT-223 | |
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