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Noga Entgrater Zur Entgratung, 12mm, 1mm Min.

About The Noga Entgrater zur Entgratung, 12mm, 1mm min., Klingenmaterial: HSS, Modell: DB 1000

Noga Entgrater zur Entgratung, 12mm, 1mm min., Klingenmaterial: HSS, Modell: DB 1000

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Noga Entgrater Zur Entgratung, 12mm, 1mm Min.

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NKK Switches Staubschutzdeckel für Druckschalter Serie LB

NKK Switches Staubschutzdeckel für Druckschalter Serie LB

NKK Switches Staubschutzdeckel für Druckschalter Serie LB, MPN: AT4002.

  • Elektromechanik & Automation und Kabel
  • Schalter
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  • Schutzvorrichtungen und Abdeckungen für Drucktaster
  • NKK Switches
    • TE Connectivity Micro Power Quadlock Crimp-Anschlussklemme für Micro Power Quadlock System-Gehäuse, Buchse, 1mm² /

    TE Connectivity Micro Power Quadlock Crimp-Anschlussklemme für Micro Power Quadlock System-Gehäuse, Buchse, 1mm² /

    5mm², Kontaktbeschichtung: Zinn, Kontaktmaterial: Kupfer, Nickel, Zinn Legierung, Betriebstemperatur min.: -40°C, Betriebstemperatur max.: +130°C, MPN: 968075-2.TE Connectivity Micro Power Quadlock Crimp-Anschlussklemme für Micro Power Quadlock System-Gehäuse, Buchse, 1mm² /, Gender: Female, Maximale Drahtgröße mm2: 2.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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  • TE Connectivity
    • IXYS MOSFET Treiber 8-Pin SOIC

    IXYS MOSFET Treiber 8-Pin SOIC

    IXYS MOSFET Treiber 8-Pin SOIC, Topologie: Low-Side, Anzahl der Treiber: 1, Montage-Typ: SMD, Spitzen-Ausgangsstrom: 9A, MPN: IXDD609SIATR.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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  • IXYS
    • Infineon SIPMOS SPD09P06PLGBTMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 9,7 A 42 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

    Infineon SIPMOS SPD09P06PLGBTMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 9,7 A 42 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

    73mm, Betriebstemperatur max.Infineon SIPMOS SPD09P06PLGBTMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 9,7 A 42 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
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    • Infineon SIPMOS SPD09P06PLGBTMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 9,7 A 42 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

    Infineon SIPMOS SPD09P06PLGBTMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 9,7 A 42 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

    : 2V, Gate-Schwellenspannung min.73mm, Betriebstemperatur max.Infineon SIPMOS SPD09P06PLGBTMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 9,7 A 42 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.

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  • Halbleiter
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  • MOSFET
  • Infineon