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OSI Optoelectronics UV Fotodiode 254nm Si, THT Flaches Profil-Gehäuse 3-Pin

About The 14A/W, Nebenwiderstand: 10000KΩ, Regelanstiegszeit: 5.9ns

OSI Optoelectronics UV Fotodiode 254nm Si, THT Flaches Profil-Gehäuse 3-Pin, Verstärkerfunktion: Nein, Wellenlänge min.: UV-100L, Länge: 24.76mm, Höhe über Panel: 4.826mm, Durchmesser: 25.4mm, Spitzenphotosensibilität: 0.14A/W, Nebenwiderstand: 10000KΩ, Regelanstiegszeit: 5.9ns

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OSI Optoelectronics UV Fotodiode 254nm Si, THT Flaches Profil-Gehäuse 3-Pin

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Specifications of OSI Optoelectronics UV Fotodiode 254nm Si, THT Flaches Profil-Gehäuse 3-Pin

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KEMET PMR209 RC-Kondensator, 100nF / 470Ω, 250 V ac, 630V dc, Metallisiertes Papier, Durchsteckmontage
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    Amphenol connector,metal circ,rt angle plug,size 22,2 #16 solder pin contact,olive drab

    Amphenol connector,metal circ,rt angle plug,size 22,2 #16 solder pin contact,olive drab, MPN: 97-3108B-22-11P.

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    • INA Kurvenrolle, Wellen-Ø 47mm x 25mm, 20300N

    INA Kurvenrolle, Wellen-Ø 47mm x 25mm, 20300N

    INA Kurvenrolle, Wellen-Ø 47mm x 25mm, 20300N, Typ: Gabel, Bohrungsgröße: 20mm, Statische Traglast: 42000N, MPN: NATV20-X-PP-A.

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    • Bourns CRS Dickschicht SMD-Widerstand 10Ω ±1% / 1W ±100ppm/°C, 2010 (5025M) Gehäuse

    Bourns CRS Dickschicht SMD-Widerstand 10Ω ±1% / 1W ±100ppm/°C, 2010 (5025M) Gehäuse

    Bourns CRS Dickschicht SMD-Widerstand 10Ω ±1% / 1W ±100ppm/°C, 2010 (5025M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +150°C, MPN: CRS2010-FX-10R0ELF.

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    Bourns CRS Dickschicht SMD-Widerstand 10Ω ±1% / 1W ±100ppm/°C, 2010 (5025M) Gehäuse

    : -55°C, Betriebstemperatur max.Bourns CRS Dickschicht SMD-Widerstand 10Ω ±1% / 1W ±100ppm/°C, 2010 (5025M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.

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