STMicroelectronics SiC MOSFET SCT20N120H N-Kanal, SMD MOSFET 1200 V / 20 A, 3-Pin H2PAK-2, Drain-Source-Widerstand max.: 0,203 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 239V
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STMicroelectronics SiC MOSFET SCT20N120H N-Kanal, SMD MOSFET 1200 V / 20 A, 3-Pin H2PAK-2
Specifications of STMicroelectronics SiC MOSFET SCT20N120H N-Kanal, SMD MOSFET 1200 V / 20 A, 3-Pin H2PAK-2 | |
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