STMicroelectronics SCTH35 SCTH35N65G2V-7 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 45 A, 7-Pin H2PAK-7
About The : 0,055 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3
STMicroelectronics SCTH35 SCTH35N65G2V-7 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 45 A, 7-Pin H2PAK-7, Drain-Source-Widerstand max.: 0,055 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.2V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: SiC
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
STMicroelectronics SCTH35 SCTH35N65G2V-7 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 45 A, 7-Pin H2PAK-7
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Specifications of STMicroelectronics SCTH35 SCTH35N65G2V-7 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 45 A, 7-Pin H2PAK-7 | |
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