Onsemi NVMFD6H852NLT1GOS N-Kanal Dual, SMD MOSFET 80 V / 25 A 3,2 W, 8-Pin DFN
About The : 1.2V, Gate-Source Spannung max
onsemi NVMFD6H852NLT1GOS N-Kanal Dual, SMD MOSFET 80 V / 25 A 3,2 W, 8-Pin DFN, Drain-Source-Widerstand max.: 31,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 6.1mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi NVMFD6H852NLT1GOS N-Kanal Dual, SMD MOSFET 80 V / 25 A 3,2 W, 8-Pin DFN
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Specifications of Onsemi NVMFD6H852NLT1GOS N-Kanal Dual, SMD MOSFET 80 V / 25 A 3,2 W, 8-Pin DFN | |
|---|---|
| Category | |
| Instock | instock |
