Onsemi FCMT360N65S3OS N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 10 A 83 W, 4-Pin PQFN4
About The 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 360 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
onsemi FCMT360N65S3OS N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 10 A 83 W, 4-Pin PQFN4, Drain-Source-Widerstand max.: 360 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±30 V, Länge: 8mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi FCMT360N65S3OS N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 10 A 83 W, 4-Pin PQFN4
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Specifications of Onsemi FCMT360N65S3OS N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 10 A 83 W, 4-Pin PQFN4 | |
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