Infineon 1MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 128k 104MHz, 8bit / Wort, 2,4 V Bis 2,6 V, SOIC 16-Pin
About The 49 x 7.Infineon 1MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 128k 104MHz, 8bit / Wort, 2,4 V bis 2,6 V, SOIC 16-Pin, Organisation: 128K x 8 bit, Low Power: Ja, Timing Typ: Synchron, Montage-Typ: SMD, Abmessungen: 10
Infineon 1MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 128k 104MHz, 8bit / Wort, 2,4 V bis 2,6 V, SOIC 16-Pin, Organisation: 128K x 8 bit, Low Power: Ja, Timing Typ: Synchron, Montage-Typ: SMD, Abmessungen: 10.49 x 7.59 x 2.36mm, Länge: 10.49mm, Betriebstemperatur max.: +85 °C, MPN: CY14B101PA-SFXI
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Speicherbausteine > SRAM
Infineon 1MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 128k 104MHz, 8bit / Wort, 2,4 V Bis 2,6 V, SOIC 16-Pin
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Specifications of Infineon 1MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 128k 104MHz, 8bit / Wort, 2,4 V Bis 2,6 V, SOIC 16-Pin | |
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