Infineon HEXFET IRLU3110ZPBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 63 A 140 W, 3-Pin IPAK (TO-251)
About The : 14 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.5V, Gate-Schwellenspannung min
Infineon HEXFET IRLU3110ZPBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 63 A 140 W, 3-Pin IPAK (TO-251), Drain-Source-Widerstand max.: 14 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –16 V, +16 V, Länge: 6.6mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET IRLU3110ZPBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 63 A 140 W, 3-Pin IPAK (TO-251)
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Specifications of Infineon HEXFET IRLU3110ZPBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 63 A 140 W, 3-Pin IPAK (TO-251) | |
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