Onsemi 2N7000-D26Z N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 200 MA 400 MW, 3-Pin TO-92
About The 2mm, Betriebstemperatur max.8V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max
onsemi 2N7000-D26Z N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 200 mA 400 mW, 3-Pin TO-92, Drain-Source-Widerstand max.: 9 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.8V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 5.2mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi 2N7000-D26Z N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 200 MA 400 MW, 3-Pin TO-92
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Specifications of Onsemi 2N7000-D26Z N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 200 MA 400 MW, 3-Pin TO-92 | |
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