onsemi NTB082N65S3F N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 40 A 313 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 82 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±30 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.3V
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Onsemi NTB082N65S3F N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 40 A 313 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Specifications of Onsemi NTB082N65S3F N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 40 A 313 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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