STMicroelectronics SCT30N120 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 45 A 270 W, 3-Pin HiP247
About The STMicroelectronics SCT30N120 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 45 A 270 W, 3-Pin HiP247, Drain-Source-Widerstand max.: –10 V, +25 V, Länge: 15
STMicroelectronics SCT30N120 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 45 A 270 W, 3-Pin HiP247, Drain-Source-Widerstand max.: 100 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –10 V, +25 V, Länge: 15.75mm, Betriebstemperatur max.: +200 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
STMicroelectronics SCT30N120 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 45 A 270 W, 3-Pin HiP247
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Specifications of STMicroelectronics SCT30N120 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 45 A 270 W, 3-Pin HiP247 | |
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