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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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STMicroelectronics

STMicroelectronics Operationsverstärker Präzision SMD SOIC, 8-Pin

About The : 2.5V/µs, Betriebstemperatur max

STMicroelectronics Operationsverstärker Präzision SMD SOIC, 8-Pin, Stromversorgungs-Typ: Single, Anzahl der Kanäle pro Chip: 2, Verstärkungsbandbreitenprodukt typ.: 9MHz, Flankensteilheit typ.: 2.5V/µs, Betriebstemperatur max.: +125 °C, Betriebstemperatur min.: –40 °C, Eingangsspannung max.: 16 V, Offset Spannung: 450µV, Ausgangsstrom: 40 mA (Senke), 69 mA (Quelle), Rail to Rail: Rail-to-Rail In/Out, Spannungsverstärkung typ.: 149 dB, MPN: TSX7192IDT

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STMicroelectronics Operationsverstärker Präzision SMD SOIC, 8-Pin

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Specifications of STMicroelectronics Operationsverstärker Präzision SMD SOIC, 8-Pin

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ROHM TVS-Diode Bi-Directional Gemeinsame Anode 40V, 3-Pin, SMD SOT-23

ROHM TVS-Diode Bi-Directional Gemeinsame Anode 40V, 3-Pin, SMD SOT-23

ROHM TVS-Diode Bi-Directional Gemeinsame Anode 40V, 3-Pin, SMD SOT-23, Höchstzulässige Pulsverlustleistung: 225mW, MPN: MMBZ27VALYT116.

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    7V, 3-Pin, SMD SOT-23, Höchstzulässige Pulsverlustleistung: 225mW, MPN: MMBZ6V2ALYT116.ROHM TVS-Diode Bi-Directional Gemeinsame Anode 8.

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    ROHM TVS-Diode Bi-Directional Gemeinsame Anode 9.6V, 3-Pin, SMD SOT-23, MPN: MMBZ6V8ALYT116.

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    : 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.9mm, Betriebstemperatur max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.

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    9mm, Betriebstemperatur max.: –25 V, +25 V, Länge: 15.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.STMicroelectronics MDmesh STY145N65M5 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 138 A 625 W, 3-Pin Max247, Drain-Source-Widerstand max.

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