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INA Stahl Kurvenrolle, Wellen-Ø 47mm X 12mm

About The INA Stahl Kurvenrolle, Wellen-Ø 47mm x 12mm, Typ: Gekapselt, Bohrungsgröße: 20mm, MPN: LR6004-2RSR

INA Stahl Kurvenrolle, Wellen-Ø 47mm x 12mm, Typ: Gekapselt, Bohrungsgröße: 20mm, MPN: LR6004-2RSR

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INA Stahl Kurvenrolle, Wellen-Ø 47mm X 12mm

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Specifications of INA Stahl Kurvenrolle, Wellen-Ø 47mm X 12mm

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INA Stahl Kurvenrolle, Wellen-Ø 47mm X 12mm
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Murata LQH43MN Drosselspule, 2,2 mH 30mA mit Ferrit-Kern, 1812 (4532M) Gehäuse 4.5mm / ±10%, 1.3MHz
  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • Induktivitäten
  • SMD-Induktivität
  • Murata
    • PowerLED LED-Leiste, Profil & Streuscheibe, für Voutenbeleuchtung, Regalbeleuchtung, Sockelleistenbeleuchtung,

    PowerLED LED-Leiste, Profil & Streuscheibe, für Voutenbeleuchtung, Regalbeleuchtung, Sockelleistenbeleuchtung,

    PowerLED LED-Leiste, Profil & Streuscheibe, für Voutenbeleuchtung, Regalbeleuchtung, Sockelleistenbeleuchtung,, Zur Verwendung mit: Voutenbeleuchtung, Regalbeleuchtung, Sockelleistenbeleuchtung, Unterbaubeleuchtung, Abmessungen: 1000 x 29.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Displays und Optoelektronik
  • LED-Beleuchtungskomponenten
  • LED Array Befestigungen
  • PowerLED
    • Infineon 800V CoolMOS™ P7 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 2,5 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

    Infineon 800V CoolMOS™ P7 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 2,5 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

    Infineon 800V CoolMOS™ P7 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 2,5 A, 3-Pin DPAK (TO-252), MPN: IPD80R2K4P7ATMA1.

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    • Infineon 800V CoolMOS™ P7 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 3 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

    Infineon 800V CoolMOS™ P7 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 3 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

    5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPD80R2K0P7ATMA1.Infineon 800V CoolMOS™ P7 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 3 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.

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    • Infineon 800V CoolMOS™ P7 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 3 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

    Infineon 800V CoolMOS™ P7 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 3 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

    Infineon 800V CoolMOS™ P7 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 3 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 2 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

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