Infineon 4MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 256k 1MHz, 16bit / Wort 16bit, 4,5 V Bis 5,5 V, TSOP 44-Pin
About The 51 x 10.: 10ns, Timing Typ: Asymmetrisch, Montage-Typ: SMD, Abmessungen: 18
Infineon 4MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 256k 1MHz, 16bit / Wort 16bit, 4,5 V bis 5,5 V, TSOP 44-Pin, Organisation: 256K x 16 bit, Zugriffszeit max.: 10ns, Timing Typ: Asymmetrisch, Montage-Typ: SMD, Abmessungen: 18.51 x 10.26 x 1.04mm, Länge: 18.51mm, Betriebstemperatur max.: +85 °C, MPN: CY7C1041GN-10ZSXI
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Speicherbausteine > SRAM
Infineon 4MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 256k 1MHz, 16bit / Wort 16bit, 4,5 V Bis 5,5 V, TSOP 44-Pin
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Specifications of Infineon 4MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 256k 1MHz, 16bit / Wort 16bit, 4,5 V Bis 5,5 V, TSOP 44-Pin | |
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