Toshiba TK TK42A12N1,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 42 A 35 W, 3-Pin TO-220SIS
About The Toshiba TK TK42A12N1,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 42 A 35 W, 3-Pin TO-220SIS, Drain-Source-Widerstand max.: 4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max
Toshiba TK TK42A12N1,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 42 A 35 W, 3-Pin TO-220SIS, Drain-Source-Widerstand max.: 9,4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Toshiba TK TK42A12N1,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 42 A 35 W, 3-Pin TO-220SIS
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Specifications of Toshiba TK TK42A12N1,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 42 A 35 W, 3-Pin TO-220SIS | |
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